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微型PECVD系統(tǒng)采用Φ 3“ × 16“ 的石英腔體,內(nèi)部設(shè)有加熱圈對(duì)樣品進(jìn)行加熱,Z高溫度可以達(dá)到400℃,且采用程序化控溫,系統(tǒng)還配有2通道混氣裝置和雙旋機(jī)械泵,整套系統(tǒng)安放于移動(dòng)架上,便于實(shí)驗(yàn)操作。本系統(tǒng)系對(duì)于薄膜生長(zhǎng)和納米線的制作是Z佳的選擇。
快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品(尺寸可達(dá) 3″ )的退火而設(shè)計(jì),配有3路流量計(jì)和機(jī)械泵。本機(jī)采用 9KW的紅外燈進(jìn)行加熱,Z快升溫速度可達(dá) 100℃/s,配有RS485 接口,可以通過(guò)控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。
開(kāi)啟式單溫區(qū)低真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-F3LV是由開(kāi)啟式單溫區(qū)管式爐、機(jī)械泵、三通道浮子混氣系統(tǒng)組成,可為CVD或擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)提供1-3種的混合氣體,真空度可達(dá)10-2torr。
高真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成,Z高工作溫度可達(dá)1200℃,混氣系統(tǒng)可以對(duì)兩種氣體進(jìn)行精確的混氣,然后導(dǎo)入管式爐內(nèi)部,本系統(tǒng)極限真空度可達(dá)10-5 torr。
1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。
高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成,可進(jìn)行半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品(尺寸可達(dá) 3″ )的退火,并采用 10KW的紅外燈進(jìn)行加熱,Z快升溫速度可達(dá) 120℃/s,配有RS485 接口,可以通過(guò)控制軟件在計(jì)算機(jī)上控制運(yùn)行并顯示溫度曲線。