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  • SKJ-50SKJ-50晶體生長爐

    SKJ-50晶體生長爐是用提拉法生長高質(zhì)量氧化物單晶及金屬單晶,如藍(lán)寶石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等,Z大可長出晶體尺寸達(dá)3“ 。

    更新日期:2016-04-12
    型號(hào):SKJ-50
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • SKJ-M50-16SKJ-M50-16金屬晶體生長爐

    SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設(shè)備,可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性,本機(jī)可采用中頻感應(yīng)加熱電源,以及石墨電阻加熱兩種加熱方式;采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫,使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。

    更新日期:2016-04-12
    型號(hào):SKJ-M50-16
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • HVF-2100W-602100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60

    2100℃高溫鎢加熱爐HVF-2100W-60適用于高真空狀態(tài)下對(duì)金屬、非金屬及其化合物進(jìn)行燒結(jié)、熔化,如硬質(zhì)合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。

    更新日期:2016-04-12
    型號(hào):HVF-2100W-60
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • VTF-1600X-TSSG頂部籽晶法晶體生長爐

    VTF-1600X-TSSG頂部籽晶法晶體生長爐可利用助溶劑法生長各種材料單晶。箱式爐采用氧化鋁纖維作為爐膛材料,以MoSi2為加熱元件,其腔體尺寸為φ330mm×250mm(H),高溫度可達(dá)1700℃。30段可編程精密溫度控制器,可根據(jù)不同的客戶需求來設(shè)定升降溫程序,控溫精度可達(dá)±1℃,配備精密旋轉(zhuǎn)提拉機(jī)構(gòu)可用于頂部籽晶助溶劑法生長各種晶體材料,提拉速度和旋轉(zhuǎn)速度均可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制。

    更新日期:2019-05-20
    型號(hào):
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • SP-MSM-4CZ四電弧提拉法單晶生長爐

    SP-MSM-4CZ四電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐(采用Ar氣電弧對(duì)樣品熔融,提拉裝置提拉),其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體(帶有水冷夾層),真空度可達(dá)10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點(diǎn)的單晶,如Ti單晶,YSZ,SiC和CeRh2Si等等。

    更新日期:2019-05-20
    型號(hào):
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐

    SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐是一款高質(zhì)量的布里奇曼單晶生長爐,高溫度可達(dá)1650℃。此款設(shè)備可生長出各種金屬單晶,目前本公司用此款設(shè)備已經(jīng)生長出Cu,Ag,Au,Fe和Mg等單晶,其直徑可達(dá)37mm。電動(dòng)坩堝放置系統(tǒng),方便與放樣和取樣。SKJ-BG1650布里奇曼單晶生長爐適合于生長各種金屬,氧化物等晶體,也和作為多晶棒定向凝固使用。

    更新日期:2018-12-06
    型號(hào):
    廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
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