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從基本開(kāi)始認(rèn)識(shí)蒸發(fā)鍍膜儀

更新時(shí)間:2024-06-20      點(diǎn)擊次數(shù):279
  蒸發(fā)鍍膜儀是利用物理或化學(xué)方法將材料從固體或液體狀態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài),然后在真空環(huán)境中沉積到基片上形成薄膜的設(shè)備。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、電子、磁性材料等領(lǐng)域,用于制備各種功能薄膜。
 
  蒸發(fā)鍍膜儀的原理主要包括以下幾個(gè)方面:
 
  1.真空原理:工作需要在高真空環(huán)境下進(jìn)行,以減少氣體分子對(duì)蒸發(fā)材料的阻礙和對(duì)薄膜質(zhì)量的影響。真空環(huán)境可以通過(guò)機(jī)械泵、分子泵等設(shè)備實(shí)現(xiàn)。在真空條件下,氣體分子的數(shù)量大大減少,有利于材料的蒸發(fā)和薄膜的生長(zhǎng)。
 
  2.蒸發(fā)原理:蒸發(fā)是指物質(zhì)從液態(tài)或固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過(guò)程。通常采用加熱的方式使材料蒸發(fā)。加熱方式有電阻加熱、電子束加熱、激光加熱等。當(dāng)材料被加熱到一定溫度時(shí),其表面原子或分子獲得足夠的能量,克服表面束縛力,逃逸到真空環(huán)境中,形成蒸汽。
 
  3.沉積原理:蒸發(fā)出來(lái)的材料在真空環(huán)境中向四周擴(kuò)散,遇到冷卻的基片時(shí),材料原子或分子失去能量,凝聚在基片表面,形成薄膜。沉積過(guò)程可以分為物理沉積和化學(xué)沉積。物理沉積是指材料原子或分子直接凝聚在基片表面,形成薄膜;化學(xué)沉積是指材料原子或分子與基片表面的原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成化合物薄膜。
 
  4.薄膜生長(zhǎng)原理:薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程可以分為三個(gè)階段:成核、生長(zhǎng)和合并。首先,蒸發(fā)出來(lái)的材料原子或分子在基片表面形成孤立的島狀結(jié)構(gòu),稱為成核。隨著沉積過(guò)程的進(jìn)行,這些島狀結(jié)構(gòu)逐漸長(zhǎng)大,形成連續(xù)的薄膜。,不同島狀結(jié)構(gòu)之間的間隙被填充,形成均勻、致密的薄膜。
 
  5.控制原理:蒸發(fā)鍍膜儀需要對(duì)蒸發(fā)速率、薄膜厚度、薄膜均勻性等參數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確控制。蒸發(fā)速率可以通過(guò)調(diào)節(jié)加熱功率來(lái)實(shí)現(xiàn);薄膜厚度可以通過(guò)測(cè)量薄膜的反射率、透射率等光學(xué)性質(zhì)來(lái)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè);薄膜均勻性可以通過(guò)旋轉(zhuǎn)基片、調(diào)整蒸發(fā)源位置等方式來(lái)改善。
 
  總之,蒸發(fā)鍍膜儀利用真空、蒸發(fā)、沉積等原理,通過(guò)加熱使材料蒸發(fā)并沉積到基片上形成薄膜的設(shè)備,具有操作簡(jiǎn)便、成膜速度快、薄膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。
蒸發(fā)鍍膜儀
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